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晶体生长机理的研究综述

[align=center][size=5][color=darkorange][b]晶体生长机理的研究综述[/b][/color][/size]
[color=slategray]郝保红1 　黄俊华2
(1 　北京石油化工学院机械工程系,北京102617 ; 2 　中国石油大学机电工程学院,北京102249)[/color][/align][color=slategray][align=left]
[/color][b][size=3]摘要[/size][/b]　[b]控制晶体生长使材料达到最高的强度可以采取两条相反的途径:一是尽量增大位错密度,非晶态材料就可看成是位错密度极高的材料;二是尽量减少位错密度,晶须就是这种方法的一个实例。晶体生长理论研究包括晶体成核理论、输运理论、界面稳定性理论、界面结构理论和界面动力学理论的体系。揭示了晶体生长的基本过程,介绍了晶体生长的机理,概述了晶体生长理论研究的技术和控制晶体生长的途径及手段,阐述晶体生长研究的发展方向,以及晶体生长与界面相的关系。这将对晶体生长的实践起着一定的指导作用。晶体生长理论研究的发展方向是使晶体生长过程可视化,这也是晶体生长实验技术的最终目标。[/b][/align][align=left]
关键词　晶体结构; 晶界; 晶须; 扩散; 成核[/align]

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